价 格: | 3.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IR2520DSTRPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 集成电路 (IC)
家庭 PMIC - 照明,镇流器控制器
系列 -
类型 镇流器控制器
频率 34 ~ 86 kHz
电流 - 电源 10mA
电流 - 输出 230mA
电源电压 12.6 V ~ 15.4 V
工作温度 -25°C ~ 125°C
封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 管件
其它名称 *IR2520DSPBF
场效应管 MOSFET N TO-220 75V 140A 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:140A电压, Vds :75V在电阻RDS(上):7mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:330W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:330W功耗:330W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:140A热阻, 结至外壳 A:0.45°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:550A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7ohm
主类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 169A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 5.3 毫欧 @ 101A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 260nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5480pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1405PBF