供应 IC 芯片IRF3808原装进口
| 价 格： | 5.60 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF3808 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | C-MIC/电容话筒专用 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | HEMT高电子迁移率 |
场效应管 MOSFET N TO-220 75V 140A
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:140A
- 电压, Vds :75V
- 在电阻RDS（上）:7mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:330W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:330W
- 功耗:330W
- 封装类型:TO-220AB
- 漏极电流, Id 值:140A
- 热阻, 结至外壳 A:0.45°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电压, Vgs :4V
- 电流, Idm 脉冲:550A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7ohm
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRF1405原装进口
信息内容：主类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 169A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 5.3 毫欧 @ 101A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 260nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5480pF @ 25V 功率 - 330W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF1405PBF
供应 IC 芯片IRF4905原装进口
信息内容：PDF文档链接http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/68156/IRF/IRF4905.html晶体管极性:P通道电流, Id 连续:64A电压, Vds :55V在电阻RDS（上）:20mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:150W功耗:150W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-74A热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:-55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:260A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a
