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供应IR原装MOS ——IRF630N

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF630N
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:4(V)
夹断电压:20(V)
跨导:4900(μS)
极间电容:575(pF)
漏极电流:9300(mA)
耗散功率:82000(mW)

 •导通电阻:RDS(on) = 0.3Ω

 •封装形式:TO-220AB

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容:

•VDS=100V•ID=42A•RDS(ON)=0.028Ω•耗散功率:PD=136W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "

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供应 美格拉(纳)MOS—MDP5N50ZTH 原装

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VDS = 500VID = 5.0A @ VGS = 10VRDS(ON) < 1.4Ω @ VGS = 10V 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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