价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF630N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 4900(μS) | |
极间电容: | 575(pF) | |
漏极电流: | 9300(mA) | |
耗散功率: | 82000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) = 0.3Ω
•封装形式:TO-220AB•VDS=100V•ID=42A•RDS(ON)=0.028Ω•耗散功率:PD=136W @TC=25°C•工作温度范围:-55 ~ 175°C "
VDS = 500VID = 5.0A @ VGS = 10VRDS(ON) < 1.4Ω @ VGS = 10V 工作温度范围:-55 ~ 150°C