价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | NTP6413AN | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 17900(μS) | |
极间电容: | 1800(pF) | |
漏极电流: | 42000(mA) | |
耗散功率: | 136000(mW) |
•VDS=100V
•ID=42A
•RDS(ON)=0.028Ω
•耗散功率:PD=136W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
"
VDS = 500VID = 5.0A @ VGS = 10VRDS(ON) < 1.4Ω @ VGS = 10V 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=1000V • ID=2.5A• 导通电阻:R<6Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C