价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP5N50ZTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 500(pF) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
耗散功率: | 93000(mW) |
VDS = 500V
ID = 5.0A @ VGS = 10V
RDS(ON) < 1.4Ω @ VGS = 10V
工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=1000V • ID=2.5A• 导通电阻:R<6Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C
MDF12N50N-Channel MOSFET 500V, 11.5 A, 0.65Ω适用于:开关电源,PFC,高电流、快速转换开关 • VDS = 500V• ID = 11.5A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C