12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7831TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.00 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7831TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 21A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 21A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 3.6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2.35V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6240pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
应用
高频负载点
同步降压转换器
在网络与应用
电脑系统。
优点
非常低的RDS（ON），在4.5VVGS
超低栅极阻抗
充分界定雪崩电压
和电流
100％测试RG
无铅
封装图片展示
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- 所属城市：广东 深圳
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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7413ZTRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 13A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）2.25V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1210pF @ 15V功率 - 值 2.5W 应用控制FET用于笔记本电脑的处理器功率控制和同步整流器 MOSFET的图形卡和POL 在电脑，网络转换器 和电信系统优点超低栅极阻抗非常低的RDS（ON）充分界定雪崩电压和电流100％测试RG无铅封装图片展示 dzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpg
深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2184STRPBF场效应管
信息内容：特点浮动通道设计为引导操作全面运作，以 600 V耐负瞬态电压dV / dt的免疫从10日至20V的栅极驱动电压范围两个通道欠压锁定3.3V和5V输入逻辑兼容两个通道的匹配传播延迟逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。获得更好的噪声免疫力降低的di / dt栅极驱动器输出源出/吸入电流能力1.4A/1.8A描述IR2184（4）（S）是高电压，高速功率MOSFET和IGBT依赖高和低的驱动程序侧参考输出通道。PRO-专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使耐用的dized单片式结构。“逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计forminimum驱动器跨导。浮动通道可以被用来驱动一个N-沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置的可在高达600伏。封装图片展示dzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpg
