12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7413ZTRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7413ZTRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极： | 13A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
参数
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 13A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1210pF @ 15V
功率 - 值 2.5W
应用
控制FET用于笔记本电脑的处理器
功率
控制和同步整流器
MOSFET的图形卡和POL
在电脑，网络转换器
和电信系统
优点
超低栅极阻抗
非常低的RDS（ON）
充分界定雪崩电压
和电流
100％测试RG
无铅
封装图片展示
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深圳公司现货IR/LED驱动MOS管SOP-8原装IR2184STRPBF场效应管
信息内容：特点浮动通道设计为引导操作全面运作，以 600 V耐负瞬态电压dV / dt的免疫从10日至20V的栅极驱动电压范围两个通道欠压锁定3.3V和5V输入逻辑兼容两个通道的匹配传播延迟逻辑与电源地 / - 5V的偏移量。获得更好的噪声免疫力降低的di / dt栅极驱动器输出源出/吸入电流能力1.4A/1.8A描述IR2184（4）（S）是高电压，高速功率MOSFET和IGBT依赖高和低的驱动程序侧参考输出通道。PRO-专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使耐用的dized单片式结构。“逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计forminimum驱动器跨导。浮动通道可以被用来驱动一个N-沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置的可在高达600伏。封装图片展示dzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpgdzsc/19/0795/19079511.jpg
12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7452QTRPBF场效应管
信息内容：开关电源MOSFET 参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 标准漏源极电压 (Vdss) 100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 60 毫欧 @ 2.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 5.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 930pF @ 25V功率 - 值 2.5W描述专为汽车应用而设计的，这些HEXFET®功率MOSFET的SO-8封装的利用的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这些附加功能。汽车合格HEXFET功率MOSFET的是一个150°C交界处的工作温度，开关速度快和改进型重复雪崩额定值。这些好处结合起来，使这个设计一个非常有效和可靠的装置在汽车应用中使用广泛各种其他应用程序。有效率的SO-8封装，提供了增强的热特性使得它在各种电源应用的理想选择。这种表面贴装的SO-8可以显着减少电路板空间，也可在磁带和卷轴。封装图片展示dzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpgdzsc/19/0795/19079591.jpg"
