热销原装NXP现货可控硅BT136-600
| 价 格： | 0.90 | |
| 品牌/商标： | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格： | BT136-600 | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 极数： | 二极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装外形： | TO220 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 散热功能： | 带散热片 | |
| 频率特性： | 超高频 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 额定正向平均电流： | 4（A） | |
| 控制极触发电流： | 详见规格书（mA） | |
| 稳定工作电流： | 25（A） | |
| 反向重复峰值电压： | 600（V） |
热销原装NXP可控硅BT136-600E原厂原装，假一赔十！详细电气参数可致电索取！
| 产品型号: | BT136-600E | 产品名称: | 可控硅 | |||
| 品牌/产地: | NXP | 封装规格: | TO220 | |||
| 产品描述: | Triacs sensitive gate | |||||
| 是否含铅: | 未知 | |||||
| PDF分类: | IC器件 > 开关及驱动器件 > 可控硅 | |||||
| 产品参数信息: |
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| 数据手册: |
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英飞凌560V 16A功率三极管SPW16N50C3
信息内容：产品型号:SPW16N50C3 产品名称: 品牌/产地:英飞凌 封装规格:TO-247 产品描述: 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 二极管产品参数信息: 参数名 参数值 Order Info in production Buy Online Buy Online Green ROHS VDS (max) 500.0 V RDS(ON) @ TJ=25°C VGS=10 0.28 Ohm ID(max) @ TC=25°C 16.0 A IDpuls (max) 48.0 A数据手册:文件名:NULL文件大小:0.00 KB下载次数:10下载:"
士兰微原装2A 600V MOS管SVF2N60
信息内容：2A、600V N沟道增强型场效应管描述SVD2N60M/MJ/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围参 数 名 称符号SVD2N60M/DSVD2N60MJSVD2N60TSVD2N60F单位漏源电压VDS600V栅源电压VGS±30VTC=25°C2.0漏极电流TC=100°CID1.3A漏极冲击电流IDM8.0A34354423W耗散功率(TC=25°C)- 大于25°C每摄氏度减少PD0.270.280.350.18W/°C单脉冲雪崩能量(注 1)EAS118mJ工作结温范围TJ-55～ 150°C贮存温度范围Tstg-55～ 150°C热阻特性参数范围参 数 名 称符 号SVD2N60M/DSVD2N60MJSVD2N60TSVD2N60F单位芯片对管壳热阻RθJC3.73.572.865.56°C/W芯片对环境的热阻RθJA11011062.5120°C/W
