士兰微原装2A 600V MOS管SVF2N60
| 价 格： | 0.65 | |
| 品牌/商标： | SILAN/士兰微 | |
| 型号/规格： | SVF2N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVD2N60M/MJ/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特点
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
参 数 名 称
符号
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
单位
漏源电压
VDS
600
V
栅源电压
VGS
±30
V
TC=25°C
2.0
漏极电流
TC=100°C
ID
1.3
A
漏极冲击电流
IDM
8.0
A
34
35
44
23
W
耗散功率(TC=25°C)
- 大于25°C每摄氏度减少
PD
0.27
0.28
0.35
0.18
W/°C
单脉冲雪崩能量(注 1)
EAS
118
mJ
工作结温范围
TJ
-55～ 150
°C
贮存温度范围
Tstg
-55～ 150
°C
热阻特性
参数范围
参 数 名 称
符 号
SVD2N60M/D
SVD2N60MJ
SVD2N60T
SVD2N60F
单位
芯片对管壳热阻
RθJC
3.7
3.57
2.86
5.56
°C/W
芯片对环境的热阻
RθJA
110
110
62.5
120
°C/W
- 所属城市：江苏 苏州
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