英飞凌560V 16A功率三极管SPW16N50C3
| 价 格： | 7.20 | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | SPW16N50C3 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 锗(Ge) | |
| 极性： | N/P型 | |
| 击穿电压VCBO： | 原装正品（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 原装正品（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 原装正品（W） | |
| 截止频率fT： | 原装正品（MHz） | |
| 结构： | 合金型 | |
| 封装形式： | 功率型 | |
| 封装材料： | 金属封装 |
| 产品型号: | SPW16N50C3 | 产品名称: | |||||||||||||||||||||||||
| 品牌/产地: | 英飞凌 | 封装规格: | TO-247 | ||||||||||||||||||||||||
| 产品描述: | |||||||||||||||||||||||||||
| 是否含铅: | 未知 | ||||||||||||||||||||||||||
| PDF分类: | 非IC器件 > 分立器件 > 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||
| 产品参数信息: |
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| 数据手册: |
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- 所属城市：江苏 苏州
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士兰微原装2A 600V MOS管SVF2N60
信息内容：2A、600V N沟道增强型场效应管描述SVD2N60M/MJ/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。特点∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围参 数 名 称符号SVD2N60M/DSVD2N60MJSVD2N60TSVD2N60F单位漏源电压VDS600V栅源电压VGS±30VTC=25°C2.0漏极电流TC=100°CID1.3A漏极冲击电流IDM8.0A34354423W耗散功率(TC=25°C)- 大于25°C每摄氏度减少PD0.270.280.350.18W/°C单脉冲雪崩能量(注 1)EAS118mJ工作结温范围TJ-55～ 150°C贮存温度范围Tstg-55～ 150°C热阻特性参数范围参 数 名 称符 号SVD2N60M/DSVD2N60MJSVD2N60TSVD2N60F单位芯片对管壳热阻RθJC3.73.572.865.56°C/W芯片对环境的热阻RθJA11011062.5120°C/W
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