供应MOS管2300，2301，2302
| 价 格： | 0.25 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 2300 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 集电极允许电流ICM： | 1（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 1。5（W） | |
| 截止频率fT： | 0。2（MHz） | |
| 结构： | 面接触型 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
产地:台湾
型号:006F、006H、006G、006I、007A。2300。2301。2302
一、代理商批量供应MOSFET管“006F”、“006G”、“006H”、“006I”、“007A”，SOT23-3封装。适合在各类便携式设备如手机充电器上使用。
二、代理商批量供应可调式DC-DC控制升压型电路“8A65”"8A66""8A67""8A6C"，SOT23-5封装。起动电压最小在0.9V。可通过外部电阻来调节输出电压为5.5V、5.6V、5.7V、5.8V或者6.0V，电流可通过外接MOS管来扩流。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点，适合在各类便携式设备如手机电池充电器上使用。
三.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路BDV71系列，SOT-23-5封装。固定输出电压5.6V。适合在手机电池充电器上使用。
四.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路ZH882系列，SOT-23-5封装。固定输出电压5.8V。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点，适合在手机电池充电器上使用
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 刘小媛
- 电话：0755-29463395
- 传真：0755-29463395
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供应低噪声高频功率放大三极管2SC3583
信息内容：批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3583 。2SC3583主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应，货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA低躁声: NF典型值为 1.2dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=7mA增益带宽乘积: fT典型值为 9GHz f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA**极限工作条件范围 (T=25℃)： 基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO10V 发射极基极击穿电压 VEBO3V 集电极电流IC 65 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G R33 HFE 50-100标号 R R34 HFE 80-150标号 S R35 HFE 125-250**封装形式 SOT-23**包装基数 3000/盘
供应三极管2SC544代替品
信息内容：批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC5455 。长期供应，货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为11.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=30mA低躁声: NF典型值为 1.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=7mA增益带宽乘积: fT典型值为 8GHz f =1GHz、Vce=3V、Iceo=30mA **极限工作条件范围 (T=25℃)：基集电极极击穿电压 VCBO 9V 集电极发射极击穿电压VCEO 6V 发射极基极击穿电压 VEBO 2V 集电极电流IC 100mA 功耗PC 200mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃ **HFE规格 标号 R55 HFE 70-150 **封装形式 SOT-143"
