价 格: | 0.30 | |
加工定制: | 是 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 2SC5455 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
集电极允许电流ICM: | 0.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 1.2(W) | |
截止频率fT: | 5(MHz) | |
结构: | 面接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC5455 。长期供应,货源稳定。
**主要特性 高增益: ︱S21︱2 典型值为11.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=30mA 低躁声: NF典型值为 1.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=7mA 增益带宽乘积: fT典型值为 8GHz f =1GHz、Vce=3V、Iceo=30mA
**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO 9V 集电极发射极击穿电压VCEO 6V 发射极基极击穿电压 VEBO 2V 集电极电流IC 100mA 功耗PC 200mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃
**HFE规格 标号 R55 HFE 70-150
**封装形式 SOT-143 |
批量供应低噪声高频功率放大晶体管BFP193 。BFP193主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应,货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA低躁声: NF典型值为 1.3dB f =1GHz、Vce=10V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 7GHz f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO12V 发射极基极击穿电压 VEBO3 V 集电极电流IC 80 mA 基极电流IB 10 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G R23 HFE 50-100标号 R R24 HFE 80-150标号 S R25 HFE 125-250**封装形式 SOT-23 SOT-323**包装基数 3000/盘
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3793 。2SC3793主要应用于VHF,UHF、CATV高频低噪声放大器。长期供应,货源稳定。**主要特性:低躁声: NF典型值为 2dB f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 6GHz f =1GHz、Vce=5V、Ic=30mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO25V 集电极发射极击穿电压VCEO 12V 发射极基极击穿电压 VEBO 2.5 V 集电极电流IC 50 mA 功耗PC0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G HFE 50-100标号 R HFE 80-150标号 S HFE 125-250**封装形式 SOT-23**包装基数 3000/盘