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供应三极管2SC544代替品

价 格: 0.30
加工定制:
品牌/商标:国产
型号/规格:2SC5455
应用范围:功率
材料:硅(Si)
极性:NPN型
集电极允许电流ICM:0.5(A)
集电极耗散功率PCM:1.2(W)
截止频率fT:5(MHz)
结构:面接触型
封装形式:贴片型
封装材料:塑料封装

批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC5455 。长期供应,货源稳定。

 

**主要特性

高增益: ︱S21︱2 典型值为11.5dB  f =2GHz、Vce=3V、Ic=30mA

低躁声: NF典型值为 1.5dB   f =2GHz、Vce=3V、Ic=7mA

增益带宽乘积: fT典型值为 8GHz      f =1GHz、Vce=3V、Iceo=30mA

 

**极限工作条件范围 (T=25℃):

基集电极极击穿电压 VCBO 9V   集电极发射极击穿电压VCEO  6V    发射极基极击穿电压 VEBO  2V     集电极电流IC 100mA    功耗PC 200mW    结温度Tj 150 ℃    存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃

 

**HFE规格 标号 R55  HFE 70-150

 

**封装形式 SOT-143

"

刘小媛
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 刘小媛
  • 电话:0755-29463395
  • 传真:0755-29463395
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信息内容:

批量供应低噪声高频功率放大晶体管BFP193 。BFP193主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应,货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA低躁声: NF典型值为 1.3dB f =1GHz、Vce=10V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 7GHz f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO12V 发射极基极击穿电压 VEBO3 V 集电极电流IC 80 mA 基极电流IB 10 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G R23 HFE 50-100标号 R R24 HFE 80-150标号 S R25 HFE 125-250**封装形式 SOT-23 SOT-323**包装基数 3000/盘

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供应低噪声高频功率放大三极管2SC3793

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批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3793 。2SC3793主要应用于VHF,UHF、CATV高频低噪声放大器。长期供应,货源稳定。**主要特性:低躁声: NF典型值为 2dB f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 6GHz f =1GHz、Vce=5V、Ic=30mA**极限工作条件范围 (T=25℃): 基集电极极击穿电压 VCBO25V 集电极发射极击穿电压VCEO 12V 发射极基极击穿电压 VEBO 2.5 V 集电极电流IC 50 mA 功耗PC0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G HFE 50-100标号 R HFE 80-150标号 S HFE 125-250**封装形式 SOT-23**包装基数 3000/盘

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