供应低噪声高频功率放大三极管2SC3583
| 价 格： | 450.00 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 2SC3583 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 结构： | 面接触型 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 截止频率fT： | 0.9（MHz） | |
| 集电极允许电流ICM： | 0.7（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 0.2（W） | |
| 营销方式： | 现货 | |
| 产品性质： | 热销 |
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3583 。2SC3583主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应，货源稳定。
**主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA
低躁声: NF典型值为 1.2dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=7mA
增益带宽乘积: fT典型值为 9GHz f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA
**极限工作条件范围 (T=25℃)：
基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO10V 发射极基极击穿电压 VEBO3V 集电极电流IC 65 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃
**HFE规格
标号G R33 HFE 50-100
标号 R R34 HFE 80-150
标号 S R35 HFE 125-250
**封装形式 SOT-23
**包装基数 3000/盘
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘小媛
- 电话：0755-29463395
- 传真：0755-29463395
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供应三极管2SC544代替品
信息内容：批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC5455 。长期供应，货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为11.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=30mA低躁声: NF典型值为 1.5dB f =2GHz、Vce=3V、Ic=7mA增益带宽乘积: fT典型值为 8GHz f =1GHz、Vce=3V、Iceo=30mA **极限工作条件范围 (T=25℃)：基集电极极击穿电压 VCBO 9V 集电极发射极击穿电压VCEO 6V 发射极基极击穿电压 VEBO 2V 集电极电流IC 100mA 功耗PC 200mW 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃ **HFE规格 标号 R55 HFE 70-150 **封装形式 SOT-143"
供应高频功率放大三极管BFP193
信息内容：批量供应低噪声高频功率放大晶体管BFP193 。BFP193主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应，货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA低躁声: NF典型值为 1.3dB f =1GHz、Vce=10V、Ic=5mA增益带宽乘积: fT典型值为 7GHz f =1GHz、Vce= 8V、Ic=30mA**极限工作条件范围 (T=25℃)： 基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO12V 发射极基极击穿电压 VEBO3 V 集电极电流IC 80 mA 基极电流IB 10 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G R23 HFE 50-100标号 R R24 HFE 80-150标号 S R25 HFE 125-250**封装形式 SOT-23 SOT-323**包装基数 3000/盘
