供应CM1200HA-66H三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM1200HA-66H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
CM1200HA-66H三菱模块
IGBT模块的关断原理：
关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。
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供应CM800HA-66H三菱模块
信息内容：CM800HA-66H三菱模块 IGBT的导通原理： IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 空穴电流(双极)。 相似型号： CM600HA-12H CM400HA-24H CM600HU-12H CM600HA-24H CM400HU-24H CM600HU-24H CM200HU-24H CM800HA-24H CM300HU-24H CM1000HA-24H CM300HA-12E CM200HA-24E CM400HA-12E CM300HA-24E CM600HA-12E CM400HA-24E CM600HU-12E CM600HA-24ECM400HU-24E CM600HU-24E CM200HU-24E CM800HA-24E CM300HU-24E CM1000HA-24E CM400HA...
供应CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H
信息内容：CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H 2P系列NPT—IGBT模块的特点 FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下： (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。 (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。 (6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。 目前，IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A～2.4kA，电压范围为600V～3.3kV的IGBT模块，以1.2kA/3.3kVIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有...
