供应CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM1200HA-50H | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H
2P系列NPT—IGBT模块的特点FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造，比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性，特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域，其显著特点如下：
(1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。
(2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比，易于并联。
(3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当结温升高时，其开关损耗比PT-IGBT增加的少，因此P系列模块更适合高频应用。
(4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。
(5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大地简化，同时，短路承受能力也大大提高。
(6)低损耗、软开关，它的dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
目前，IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A～2.4kA，电压范围为600V～3.3kV的IGBT模块，以1.2kA/3.3kVIGBT为例，其栅极发射极电压仅为15V，触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有效的控制。
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供应CM600HA-28H CM600HA-28H三菱模块
信息内容：CM600HA-28H CM600HA-28H三菱模块 CM600HA-28H 参数 标准包装1 类别：半导体模块 家庭：IGBT 类型-配置单一 电压 - 集电极发射极击穿（）1400V Vge, Ic时的Vce（开）4.2V @ 15V, 600A 电流 - 集电极 (Ic)（）600A 电流 - 集电极截止（）2mA Vce 时的输入电容 (Cies)120nF @ 10V 功率 - 4100W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 封装/外壳 北京京丰实创科技有限公司代理德国，欧洲、美国、日本等经销品牌功率器件 模块:英飞凌，eupec，西门康,三菱,富士,西门子,东芝,三社,三垦，IXYS,IR,等功 率模块IGBT ,GTR,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥,晶闸管，二极管,场效应及电解电 容,富士快熔，罗兰快熔和美国VICOR电源模块. 欢迎经销商、厂商来电咨询! 公司一直本着“质量，价格合理，交货快捷，客户至上”的经营宗旨，公司货 源一手，在广大用户的大力支持下，业务日益发展。公司经营的电力功率模块，主 要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶...
供应CM800HA-24E三菱IGBT 三菱模块
信息内容：IGBT阻断与闩锁 当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别： 当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体...
