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供应CM800HA-66H三菱模块

价 格: 面议
型号/规格:CM800HA-66H
品牌/商标:三菱

CM800HA-66H三菱模块

IGBT的导通原理:

IGBT硅片的结构与功率MOSFET   的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+   基片和一个N+   缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+   区之间创建了一个J1结。  
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内,那么,J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET   电流);   空穴电流(双极)。  

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信息内容:

CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H 2P系列NPT—IGBT模块的特点   FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造,比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性,特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域,其显著特点如下:   (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。   (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比,易于并联。   (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小,当结温升高时,其开关损耗比PT-IGBT增加的少,因此P系列模块更适合高频应用。   (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。   (5)P系列中,尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区,反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍,SCSOA可达额定电流的十倍。因此,吸收电路可大大地简化,同时,短路承受能力也大大提高。   (6)低损耗、软开关,它的dv/dt只有普通模块的1/2,大大降低了EMI噪声。   目前,IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A~2.4kA,电压范围为600V~3.3kV的IGBT模块,以1.2kA/3.3kVIGBT为例,其栅极发射极电压仅为15V,触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有...

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