CM800HA-66H三菱模块
IGBT的导通原理:
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。相似型号:
CM600HA-12H CM400HA-24H
CM1200HA-50H三菱模块CM1200HA-50H 2P系列NPT—IGBT模块的特点 FUJIP系列IGBT采用NPT工艺制造,比PT(PunchThrough)IGBT有更多的优越性,特别适用于变频器、交流伺服系统、UPS、电焊电源等领域,其显著特点如下: (1)电流额定值是在Tc=800℃时标出的。 (2)P系列IGBT的VCE(SAT)与温度成正比,易于并联。 (3)开关损耗的温度系数比PT-IGBT小,当结温升高时,其开关损耗比PT-IGBT增加的少,因此P系列模块更适合高频应用。 (4)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中,尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区,反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍,SCSOA可达额定电流的十倍。因此,吸收电路可大大地简化,同时,短路承受能力也大大提高。 (6)低损耗、软开关,它的dv/dt只有普通模块的1/2,大大降低了EMI噪声。 目前,IGBT已发展到第四代;西门子/EUPEC已可提供电流从10A~2.4kA,电压范围为600V~3.3kV的IGBT模块,以1.2kA/3.3kVIGBT为例,其栅极发射极电压仅为15V,触发功率低、关断损耗小、di/dt.du/dt都得到有...
CM600HA-28H CM600HA-28H三菱模块 CM600HA-28H 参数 标准包装1 类别:半导体模块 家庭:IGBT 类型-配置单一 电压 - 集电极发射极击穿()1400V Vge, Ic时的Vce(开)4.2V @ 15V, 600A 电流 - 集电极 (Ic)()600A 电流 - 集电极截止()2mA Vce 时的输入电容 (Cies)120nF @ 10V 功率 - 4100W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 封装/外壳 北京京丰实创科技有限公司代理德国,欧洲、美国、日本等经销品牌功率器件 模块:英飞凌,eupec,西门康,三菱,富士,西门子,东芝,三社,三垦,IXYS,IR,等功 率模块IGBT ,GTR,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥,晶闸管,二极管,场效应及电解电 容,富士快熔,罗兰快熔和美国VICOR电源模块. 欢迎经销商、厂商来电咨询! 公司一直本着“质量,价格合理,交货快捷,客户至上”的经营宗旨,公司货 源一手,在广大用户的大力支持下,业务日益发展。公司经营的电力功率模块,主 要用于航天航空,机场设施,电机调速,矿山焊机,船舶...