| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | AO | |
| 型号: | AO4440 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 60(V) | |
| 夹断电压: | 10(V) | |
| 低频跨导: | 25(μS) | |
| 极间电容: | 36(pF) | |
| 低频噪声系数: | 2(dB) | |
| 漏极电流: | 5000(mA) | |
| 耗散功率: | 2500(mW) |
| AO4440 |
| 8-SOIC |
| AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET,GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 55 毫欧 @ 5A, 10V |
| 60V |
| 3V @ 250µA |
| 10.5nC @ 10V |
| 5A |
| 540pF @ 30V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC |
| 带卷 (TR) |
您的位置:首页> 产品详细资料 :IRFB42N20DPBF MOSFET N-CH 73973*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:73973 厂商编号:IRFB42N20DPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description IR_Power MOSFET Pins/Package TO-220AB Pd(max.) 2.4W Id(max.) 44A Vds(max.) 200V N/P Ch. N-CH Rds(on)(max.) Ω 0.055Ω产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0341/19034114.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFB42N20DPBFdzsc/19/0341/19034114.jpg( 查看原图 )询价 数 量:
数据列表FDS9933A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFETs - 阵列系列PowerTrench®FET 型2 个 P 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 10V功率 - 900mW安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)