价 格: | 5.20 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRFB42N20DPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 200(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 10(pF) | |
低频噪声系数: | 10(dB) | |
漏极电流: | 10(mA) | |
耗散功率: | 10000(mW) |
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详细信息 | 图片 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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数据列表FDS9933A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFETs - 阵列系列PowerTrench®FET 型2 个 P 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 10V功率 - 900mW安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)
详细信息图片 100Y编号:74700 厂商编号:IRFR220NPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description IR_HEXFET 电源 MOSFET Pins/Package D-Pak Pd(max.) 43W Id(max.) 5A Vds(max.) 200V Vgs ±20V N/P Ch. N-Channel Rds(on)(max.) Ω 0.6Ω产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0374/19037479.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFR220NPBFdzsc/19/0374/19037479.jpg( 查看原图 )询价 数 量:"