价 格: | 面议 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FDS9933A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 20(V) | |
夹断电压: | 2.3(V) | |
低频跨导: | 3(μS) | |
极间电容: | 6(pF) | |
低频噪声系数: | 6(dB) | |
漏极电流: | 3.8A(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
FDS9933A |
8-SOIC Pkg |
High Voltage Switches for Power Processing |
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFETs - 阵列 |
PowerTrench® |
2 个 P 沟道(双) |
逻辑电平门 |
75 毫欧 @ 3.8A, 4.5V |
20V |
1.5V @ 250µA |
10nC @ 4.5V |
3.8A |
600pF @ 10V |
900mW |
表面贴装 |
8-SOIC(3.9mm 宽) |
带卷 (TR) |
详细信息图片 100Y编号:74700 厂商编号:IRFR220NPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description IR_HEXFET 电源 MOSFET Pins/Package D-Pak Pd(max.) 43W Id(max.) 5A Vds(max.) 200V Vgs ±20V N/P Ch. N-Channel Rds(on)(max.) Ω 0.6Ω产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0374/19037479.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFR220NPBFdzsc/19/0374/19037479.jpg( 查看原图 )询价 数 量:"
数据列表STB5NK50Z/-1, STD5NK50Z/-1, STP5NK50Z/FP产品相片TO-220 Pkg产品目录绘图ST Series TO-220标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 2.2A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4AId 时的 Vgs(th)()4.5V @ 50µA闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)535pF @ 25V功率 - 70W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装*产品目录页面1491 (CN2010-11 Interactive)1491 (CN2010-11 PDF)其它名称497-3195-5"