价 格: | 12.00 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FGL60N100BNT | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MIX/混频 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 1000(V) | |
夹断电压: | 1000(V) | |
跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 23(pF) | |
低频噪声系数: | 20(dB) | |
漏极电流: | 60000(mA) | |
耗散功率: | 11000(mW) |
FGL60N100BNTD |
High Voltage Switches for Power Processing |
25 |
離散半導體產品 |
IGBT - 單路 |
- |
NPT和Trench |
1000V |
2.9V @ 15V, 60A |
60A |
180W |
標準 |
通孔 |
TO-264 |
TO-264 |
管裝 |
FGL60N100BNTD |
High Voltage Switches for Power Processing |
25 |
離散半導體產品 |
IGBT - 單路 |
- |
NPT和Trench |
1000V |
2.9V @ 15V, 60A |
60A |
180W |
標準 |
通孔 |
TO-264 |
TO-264 |
管裝 |
数据列表AO4440产品相片8-SOIC产品目录绘图AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)540pF @ 30V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC包装带卷 (TR)
您的位置:首页> 产品详细资料 :IRFB42N20DPBF MOSFET N-CH 73973*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:73973 厂商编号:IRFB42N20DPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description IR_Power MOSFET Pins/Package TO-220AB Pd(max.) 2.4W Id(max.) 44A Vds(max.) 200V N/P Ch. N-CH Rds(on)(max.) Ω 0.055Ω产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0341/19034114.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFB42N20DPBFdzsc/19/0341/19034114.jpg( 查看原图 )询价 数 量: