2SK3568 (STA4,Q,M) 全新原装
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK3568 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | HF/高频(射频)放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 500（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 低频跨导： | 5（μS） | |
| 极间电容： | 12（pF） | |
| 低频噪声系数： | 3（dB） | |
| 漏极电流： | 12A（mA） | |
| 耗散功率： | 40W（mW） |
| 2SK3568 |
| 2SK3568(Q) |
| TO-220SIS Side 3 TO-220SIS Side 2 TO-220SIS Side 1 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 520 毫欧 @ 6A, 10V |
| 500V |
| 12A |
| 4V @ 1mA |
| 42nC @ 10V |
| 1500pF @ 25V |
| 40W |
| 通孔 |
| 2-10U1B |
| 管件 |
| TO-220SIS |
| 2SK3568(Q) 2SK3568Q 2SK3568Q-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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IGBT FGL60N100BNTD G60N100BNTD G60N100 大功率 60A 100
信息内容：規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿（值）1000VVge, Ic時的Vce（開）2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)（值）60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝 規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿（值）1000VVge, Ic時的Vce（開）2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)（值）60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝
AO4440 原包装 特价 环保 SOP-8
信息内容：数据列表AO4440产品相片8-SOIC产品目录绘图AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)540pF @ 30V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC包装带卷 (TR)
