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AO4710 原装 现货 环保 SOP-8

价 格: 面议
品牌:AO
型号:AO4710
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:L/功率放大
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:30(V)
夹断电压:10(V)
低频跨导:25(μS)
极间电容:25(pF)
低频噪声系数:35(dB)
漏极电流:1270(mA)
耗散功率:1250(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装
AO4710
8-SOIC
AO4xxx Series 8-SOIC Top
AO4xxx Series 8-SOIC End
AO4xxx Series 8-SOIC Side
3,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
SRFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
11.8 毫欧 @ 12.7A, 10V
30V
2.3V @ 250µA
43nC @ 10V
12.7A
2376pF @ 15V
3.1W
表面贴装
8-SOIC
带卷 (TR)

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古苏波
  • 电话:755-88878818
  • 传真:755-88878818
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2SK3568 (STA4,Q,M) 全新原装

信息内容:

数据列表2SK3568产品相片2SK3568(Q)产品目录绘图TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C520 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12AId 时的 Vgs(th)()4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1500pF @ 25V功率 - 40W安装类型通孔封装/外壳2-10U1B包装管件供应商设备封装TO-220SIS其它名称2SK3568(Q)2SK3568Q2SK3568Q-ND

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IGBT FGL60N100BNTD G60N100BNTD G60N100 大功率 60A 100

信息内容:

規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿(值)1000VVge, Ic時的Vce(開)2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)(值)60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝 規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿(值)1000VVge, Ic時的Vce(開)2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)(值)60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝

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