价 格: | 面议 | |
品牌: | AO | |
型号: | AO4710 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
低频跨导: | 25(μS) | |
极间电容: | 25(pF) | |
低频噪声系数: | 35(dB) | |
漏极电流: | 1270(mA) | |
耗散功率: | 1250(mW) |
AO4710 |
8-SOIC |
AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
3,000 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
SRFET™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
11.8 毫欧 @ 12.7A, 10V |
30V |
2.3V @ 250µA |
43nC @ 10V |
12.7A |
2376pF @ 15V |
3.1W |
表面贴装 |
8-SOIC |
带卷 (TR) |
数据列表2SK3568产品相片2SK3568(Q)产品目录绘图TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C520 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12AId 时的 Vgs(th)()4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1500pF @ 25V功率 - 40W安装类型通孔封装/外壳2-10U1B包装管件供应商设备封装TO-220SIS其它名称2SK3568(Q)2SK3568Q2SK3568Q-ND
規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿(值)1000VVge, Ic時的Vce(開)2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)(值)60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝 規格書FGL60N100BNTD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝25類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型NPT和Trench電壓 - 集電極發射極擊穿(值)1000VVge, Ic時的Vce(開)2.9V @ 15V, 60A電流 - 集電極(Ic)(值)60A功率 - 180W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-264供應商設備封裝TO-264封裝管裝