价 格: | 面议 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FDS6570A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 20(V) | |
夹断电压: | 2.(V) | |
低频跨导: | 36(μS) | |
极间电容: | 3(pF) | |
低频噪声系数: | 3(dB) | |
漏极电流: | 15A(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
FDS6570A |
8-SOIC Pkg |
High Voltage Switches for Power Processing |
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
2,500 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
PowerTrench® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
7.5 毫欧 @ 15A, 4.5V |
20V |
1.5V @ 250µA |
66nC @ 5V |
15A |
4700pF @ 10V |
1W |
表面贴装 |
8-SOIC(3.9mm 宽) |
带卷 (TR) |
数据列表AO4710产品相片8-SOIC产品目录绘图AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列SRFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C11.8 毫欧 @ 12.7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()2.3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.7A在 Vds 时的输入电容(Ciss)2376pF @ 15V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC包装带卷 (TR)
数据列表2SK3568产品相片2SK3568(Q)产品目录绘图TO-220SIS Side 3TO-220SIS Side 2TO-220SIS Side 1标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C520 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12AId 时的 Vgs(th)()4V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1500pF @ 25V功率 - 40W安装类型通孔封装/外壳2-10U1B包装管件供应商设备封装TO-220SIS其它名称2SK3568(Q)2SK3568Q2SK3568Q-ND