价 格: | 1.45 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRFU3910PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 100(μS) | |
极间电容: | 100(pF) | |
低频噪声系数: | 0100(dB) | |
漏极电流: | 1010(mA) | |
耗散功率: | 10(mW) |
IRFU3910PBF IRFU3910PBF
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数据列表FDS6570A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 15A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A在 Vds 时的输入电容(Ciss)4700pF @ 10V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)
数据列表AO4710产品相片8-SOIC产品目录绘图AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列SRFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C11.8 毫欧 @ 12.7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()2.3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.7A在 Vds 时的输入电容(Ciss)2376pF @ 15V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC包装带卷 (TR)