价 格: | 2.10 | |
品牌: | ST/意法 | |
型号: | STP30NF10 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MAP/匹配对管 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 10(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 01(dB) | |
漏极电流: | 35A(mA) | |
耗散功率: | 200W(mW) |
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IRFU3910PBF IRFU3910PBF dzsc/19/0297/19029769.jpg 规格Documents我的注释制造商:International RectifierRoHS:dzsc/19/0297/19029769.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:20 V漏极连续电流:15 A安装风格:Through Hole封装 / 箱体:IPAK封装:Tube栅极电荷 Qg:29.3 nC 功率耗散:52 W 工厂包装数量:75
数据列表FDS6570A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 15A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A在 Vds 时的输入电容(Ciss)4700pF @ 10V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)