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STP30NF10 P30NF10 30N10 全新原装ST公司TO-220 N-CH 35A 10

价 格: 2.10
品牌:ST/意法
型号:STP30NF10
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MAP/匹配对管
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:100(V)
夹断电压:100(V)
跨导:10(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:01(dB)
漏极电流:35A(mA)
耗散功率:200W(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
ST(B,P)30NF10(FP)
TO-220 Pkg
ST Series TO-220
50
離散半導體產品
FET - 單路
STripFET™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
45 毫歐姆 @ 15A, 10V
100V
35A
4V @ 250µA
55nC @ 10V
1180pF @ 25V
115W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管裝
1570 (TW2011-ZH PDF)
497-7520-5
STP30NF10-ND
規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
ST(B,P)30NF10(FP)
TO-220 Pkg
ST Series TO-220
50
離散半導體產品
FET - 單路
STripFET™
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
45 毫歐姆 @ 15A, 10V
100V
35A
4V @ 250µA
55nC @ 10V
1180pF @ 25V
115W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管裝
1570 (TW2011-ZH PDF)
497-7520-5
STP30NF10-ND
 
 

深圳市长亮源科技有限公司
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  • 联系人: 古苏波
  • 电话:755-88878818
  • 传真:755-88878818
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新到货! IRFU3910PBF IRFU3910 FU3910 代理IR品牌 TO-251封装

信息内容:

IRFU3910PBF IRFU3910PBF dzsc/19/0297/19029769.jpg 规格Documents我的注释制造商:International RectifierRoHS:dzsc/19/0297/19029769.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:20 V漏极连续电流:15 A安装风格:Through Hole封装 / 箱体:IPAK封装:Tube栅极电荷 Qg:29.3 nC 功率耗散:52 W 工厂包装数量:75

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FDS6570A 原装 环保 SOP-8

信息内容:

数据列表FDS6570A产品相片8-SOIC Pkg产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 15A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs66nC @ 5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A在 Vds 时的输入电容(Ciss)4700pF @ 10V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)

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