价 格: | 5.80 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | SPA11N60C3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DUAL/配对管 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
夹断电压: | 60(V) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 01(mA) | |
耗散功率: | 10(mW) |
SP(P,I,A)11N60C3 |
TO-220 FULLPAK Pkg |
Mosfets TO-220FP |
50 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
CoolMOS™ |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
380 毫歐姆 @ 7A, 10V |
650V |
11A |
3.9V @ 500µA |
60nC @ 10V |
1200pF @ 25V |
33W |
通孔 |
TO-220-3全封裝 |
管裝 |
PG-TO220-FP |
SP000013664 SP000216312 SPA11N60C3IN SPA11N60C3X SPA11N60C3XTIN SPA11N60C3XTIN-ND |
規格書ST(B,P)30NF10(FP)產品相片TO-220 Pkg產品目錄繪圖ST Series TO-220標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列STripFET™FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐姆 @ 15A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C35AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs55nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1180pF @ 25V功率 - 115W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1570 (TW2011-ZH PDF)其他名稱497-7520-5STP30NF10-ND規格書ST(B,P)30NF10(FP)產品相片TO-220 Pkg產品目錄繪圖ST Series TO-220標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列STripFET™FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐姆 @ 15A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C35AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs55nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1180pF @ 25V功率 - 115W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應商設備封裝TO-220AB封裝管裝產品目錄頁面1570 (TW2011-ZH PDF)其他名稱49...
IRFU3910PBF IRFU3910PBF dzsc/19/0297/19029769.jpg 规格Documents我的注释制造商:International RectifierRoHS:dzsc/19/0297/19029769.jpg 详细信息 晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:20 V漏极连续电流:15 A安装风格:Through Hole封装 / 箱体:IPAK封装:Tube栅极电荷 Qg:29.3 nC 功率耗散:52 W 工厂包装数量:75