供应 场效应管 AOTF404,AOTF4126,AOTF454L
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOTF404,TO-220F,DIP/MOS,N场,105V,26A,0.028Ω | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AOTF404
概述
该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极
charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。
产品特点：
* 开关速度快
* 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
* 低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
* 低反向传输电容（典型：2.7pF）
* 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):26
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):43
输入电容Ciss(PF):2038 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：73
单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68
导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ.
上升时间Tr(ns):8.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ.
下降时间Tf(ns):11.2 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 STP3NK60ZFP,P3NK60ZFP
信息内容：产品型号:STP3NK60ZFP 特点： * 典型的RDS（ON）=3.3Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好 说明 超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻 显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满 了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。 应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):311 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ. 下降时间Tf(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等...
供应 场效应管 AOT404,T404
信息内容：产品型号:AOT404 概述 该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极 charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。 产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):100 输入电容Ciss(PF):2038 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)50 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):200 导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ. 上升时间Tr(ns):8.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ. 下降时间Tf(ns):11.2 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:105V,40A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
