供应 场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS1N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CS1N60A3H,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,0.8A,15Ω | |
| 品牌/商标： | 华晶 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:CS1N60A3H
概述：
硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术
，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种
电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251，
符合RoHS标准。
产品特点：
* 开关速度快
* 低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
* 低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
* 低反向传输电容（典型：2.7pF）
* 100％的单脉冲雪崩能量测试
应用范围：
* 电源开关电路的电源适配器和充电器。
* 符合RoHS标准
封装:TO-251
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):0.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):30
输入电容Ciss(PF):92 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：0.7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60
导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ.
上升时间Tr(ns):26 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):27 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,0.8A N-沟道增强型场效应晶体管
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 AOTF404,AOTF4126,AOTF454L
信息内容：产品型号:AOTF404 概述 该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极 charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。 产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):26 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):43 输入电容Ciss(PF):2038 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：73 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68 导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ. 上升时间Tr(ns):8.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ. 下降时间Tf(ns):11.2 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 STP3NK60ZFP,P3NK60ZFP
信息内容：产品型号:STP3NK60ZFP 特点： * 典型的RDS（ON）=3.3Ω * 极高dv/dt能力 * 100％的雪崩测试 * 栅极电荷最小化 * 非常低的固有电容 * 制造重复性非常好 说明 超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻 显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满 了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。 应用 * 大电流，高开关速度 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC * 照明 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):2.4 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):3.6 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4.5 功率PD(W):20 输入电容Ciss(PF):311 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：1.8 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273 导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ. 上升时间Tr(ns):14 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ. 下降时间Tf(ns):14 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,2.4A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等...
