供应 场效应管 AP25N10GH-HF,AP25N10GH,25N10GH
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP25N10GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,100V,23A,0.08Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:AP25N10GH-HF
特点：
* 低栅极电荷
* 单驱动器要求
* 符合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):23
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):96
输入电容Ciss(PF):1060 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：14
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):28 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.
下降时间Tf(ns):2 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CS1N60A3H,CS2N60A3H,CS1N60
信息内容：产品型号:CS1N60A3H 概述： 硅CS1N60A3H，N-沟道的增强VDMOSFETs，是通过以下方式获得的自对准的平面技术 ，能够降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。的晶体管可以使用在各种 电源的开关电路，用于系统的小型化和更高的效率。封装形式为TO-251， 符合RoHS标准。 产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 夹断电压VGS(V):±30 漏极电流Id(A):0.8 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):30 输入电容Ciss(PF):92 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：0.7 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):60 导通延迟时间Td(on)(ns):21 typ. 上升时间Tr(ns):26 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ. 下降时间Tf(ns):27 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:600V,0.8A N-沟道...
供应 场效应管 AOTF404,AOTF4126,AOTF454L
信息内容：产品型号:AOTF404 概述 该AOTF404/ L采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极 charge.This装置是适合使用在高电压同步整流，负载开关和一般用途的应用。 产品特点： * 开关速度快 * 低导通电阻（导通电阻≤15Ω） * 低栅极电荷（典型数据：5.0nC） * 低反向传输电容（典型：2.7pF） * 100％的单脉冲雪崩能量测试 应用范围： * 电源开关电路的电源适配器和充电器。 * 符合RoHS标准 封装:TO-220F 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):105 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):26 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):43 输入电容Ciss(PF):2038 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：73 单脉冲雪崩能量EAR(mJ):68 导通延迟时间Td(on)(ns):12.7 typ. 上升时间Tr(ns):8.2 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):31.5 typ. 下降时间Tf(ns):11.2 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:105V,26A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
