供应 场效应管 AP9972GP,9972GP,AP9972
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AP9972GP,TO-220,SMD/MOS,N场,60V,60A,0.018Ω | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
产品型号:AP9972GP
特点：
* 低栅极电荷
* 单驱动器要求
* 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±25
漏极电流Id(A):60
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):89
输入电容Ciss(PF):3170 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45
导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ.
上升时间Tr(ns):58 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ.
下降时间Tf(ns):80 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP70T03GJ,70T03GJ,AP70T03GJ-HF
信息内容：产品型号:AP70T03GJ 特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合RoHS及无卤素 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):53 输入电容Ciss(PF):1485 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：35 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):105 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 下降时间Tf(ns):9 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,60A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP25N10GH-HF,AP25N10GH,25N10GH
信息内容：产品型号:AP25N10GH-HF 特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合RoHS及无卤素 封装:SOT-252 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):23 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):4 功率PD(W):96 输入电容Ciss(PF):1060 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：14 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ. 上升时间Tr(ns):28 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ. 下降时间Tf(ns):2 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
