供应 场效应管 IRLR8729,IRLR8729TRLPBF,LR8729
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRLR8729TRLPBF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,58A,0.0089Ω | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 |
产品型号:IRLR8729TRLPBF
应用
* 高频率同步降压转换器的计算机处理器电源
* 高频隔离DC-DC转换器，电信和工业使用的同步整流
优点：
* 非常低的RDS（ON），在4.5V VGS
* 超低栅极阻抗
* 充分界定雪崩电压和电流
* 无铅
* 符合RoHS标准
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):58
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0089 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.35
功率PD(W):55
输入电容Ciss(PF):1350 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：91
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.
上升时间Tr(ns):47 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):11 typ.
下降时间Tf(ns):10 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,58A N-沟道增强型场效应晶体管
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AP9972GP,9972GP,AP9972
信息内容：产品型号:AP9972GP 特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合限制有害物质指令（RoHS）规范要求 封装:TO-220 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60 夹断电压VGS(V):±25 漏极电流Id(A):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.018 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):89 输入电容Ciss(PF):3170 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：55 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45 导通延迟时间Td(on)(ns):11 typ. 上升时间Tr(ns):58 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):45 typ. 下降时间Tf(ns):80 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:60V,60A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 AP70T03GJ,70T03GJ,AP70T03GJ-HF
信息内容：产品型号:AP70T03GJ 特点： * 低栅极电荷 * 单驱动器要求 * 符合RoHS及无卤素 封装:TO-251 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):3 功率PD(W):53 输入电容Ciss(PF):1485 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：35 单脉冲雪崩能量EAS(mJ): 导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ. 上升时间Tr(ns):105 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ. 下降时间Tf(ns):9 typ. 温度(℃): -55 ~175 描述:30V,60A N-沟道增强型场效应晶体管 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
