价 格: | 1.60 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRFU9120NPBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 01(V) | |
跨导: | 01(μS) | |
极间电容: | 012(pF) | |
低频噪声系数: | 5221(dB) | |
漏极电流: | 4242(mA) | |
耗散功率: | 42(mW) |
IRFR9120NPbF, IRFU9120NPbF |
DPAK_369D−01 |
75 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
HEXFET® |
MOSFET P通道,金屬氧化物 |
標準 |
480 毫歐姆 @ 3.9A, 10V |
100V |
6.6A |
4V @ 250µA |
27nC @ 10V |
350pF @ 25V |
40W |
通孔 |
TO-251-3長引線,IPak,TO-251AB |
管裝 |
I-Pak |
*IRFU9120NPBF |
規格書IRLL014PBF產品相片SOT-223產品目錄繪圖IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side標準包裝2,500類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐姆 @ 1.6A, 5V漏極至源極的電壓(Vdss)60V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C2.7AId時的Vgs(th)(值)2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)400pF @ 25V功率 - 2W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-261-4, TO-261AA封裝編帶和捲軸封裝(TR)供應商設備封裝SOT-223產品目錄頁面1537 (TW2010-11 PDF)其他名稱IRLL014PBFTR
規格書IRF9540NSPbF(NLPbF)產品相片D2PAK, TO-263標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET P通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C117 毫歐姆 @ 14A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C23AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs110nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1450pF @ 25V功率 - 3.1W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-263-3, D²Pak (2引線 接頭), TO-263AB封裝管裝供應商設備封裝D2PAK