| 价 格: | 12.00 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IRGP20B60PDPBF | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | HF/高频(射频)放大 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 低频跨导: | 10(μS) | |
| 极间电容: | 10(pF) | |
| 低频噪声系数: | 10(dB) | |
| 漏极电流: | 4000(mA) | |
| 耗散功率: | 220(mW) |
| IRGP20B60PDPbF |
| TO-247AC Pkg |
| IRG Series Circuit IR Transistor TO-247AC |
| 25 |
| 離散半導體產品 |
| IGBT - 單路 |
| - |
| NPT |
| 600V |
| 2.8V @ 15V, 20A |
| 40A |
| 220W |
| 標準 |
| 通孔 |
| TO-247-3 (直引線), TO-247AC |
| 散裝 |
| TO-247AC |
| *IRGP20B60PDPBF |
規格書IRFR9120NPbF, IRFU9120NPbF產品相片DPAK_369D−01標準包裝75類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET P通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C480 毫歐姆 @ 3.9A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C6.6AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs27nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)350pF @ 25V功率 - 40W安裝類型通孔封裝/外殼TO-251-3長引線,IPak,TO-251AB封裝管裝供應商設備封裝I-Pak其他名稱*IRFU9120NPBF"
規格書IRLL014PBF產品相片SOT-223產品目錄繪圖IR(F,L)L Series TopIR(F,L)L Series Side標準包裝2,500類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列-FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐姆 @ 1.6A, 5V漏極至源極的電壓(Vdss)60V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C2.7AId時的Vgs(th)(值)2V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5VVds時的輸入電容(Ciss)400pF @ 25V功率 - 2W安裝類型表面黏著式封裝/外殼TO-261-4, TO-261AA封裝編帶和捲軸封裝(TR)供應商設備封裝SOT-223產品目錄頁面1537 (TW2010-11 PDF)其他名稱IRLL014PBFTR