深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7822TRPBF场效应管
| 价 格： | 1.10 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF7822TRPBF | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 3.1W | |
| 电流： | 18A | |
| 电压： | 30V |
N-通道专用MOSFET
CPU核心DC-DC转换器的理想选择
低传导损耗
低开关损耗
描述
这种新的设备采用了先进的HEXFET功率
MOSFET技术，实现了前所未有的
导通电阻和栅极电荷平衡。减少
传导和开关损耗，使得它非常适用于高
高效DC-DC转换器，电源的
代微处理器。
IRF7822已经优化所有参数
是关键的同步降压转换器，包括
RDS（上）
栅极电荷和Cdv / dt引起导通免疫力。
IRF7822提供特别低的RDS（on）
和高犬瘟热/
同步FET应用程序的的dt抗扰性。
该包装是专为气相，红外线，
对流，或波峰焊技术。功率
大于3W是功耗可能在一个典型的
PCB安装的应用程序。
封装图片展示
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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7831TRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 21A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 3.6 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 2.35V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 60nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6240pF @ 15V功率 - 值 2.5W应用高频负载点同步降压转换器在网络与应用电脑系统。优点非常低的RDS（ON），在4.5VVGS超低栅极阻抗充分界定雪崩电压 和电流100％测试RG无铅封装图片展示dzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpgdzsc/19/0482/19048271.jpg
12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7413ZTRPBF场效应管
信息内容：参数FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 13A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 10 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（值）2.25V @ 25µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1210pF @ 15V功率 - 值 2.5W 应用控制FET用于笔记本电脑的处理器功率控制和同步整流器 MOSFET的图形卡和POL 在电脑，网络转换器 和电信系统优点超低栅极阻抗非常低的RDS（ON）充分界定雪崩电压和电流100％测试RG无铅封装图片展示 dzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpgdzsc/19/0544/19054475.jpg
