价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | TK5A50D | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | TK5A50D | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 500 V | |
漏电流ID | 5 A | |
漏功耗PD | 35 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 11 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.5 Ω | |
封装 | TO-220SIS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
装配基础 | China, Malaysia, Japan | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
部件型号2SK3564 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID3 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)17 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V4.3 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)
部件型号2SK170 极性N沟 门-漏极电压VGDS-40 V 门电流IG10 mA 漏极电流IDSS, max20 mA 漏极电流IDSS, min2.6 mA 封装TO-92 管脚数3 表面安装型N 互补产品2SJ74 备注低噪声 产品分类结型FET(引线型) RoHS Compatible Product(s) (#)Available