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供应 IC 芯片IR2520DPBF原装进口

价 格: 4.10
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IR2520DPBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷

类别 集成电路 (IC)
家庭 PMIC - 照明,镇流器控制器
系列 -
类型 镇流器控制器
 
频率 34 ~ 86 kHz
 
电流 - 电源 10mA
 
电流 - 输出 230mA
 
电源电压 12.6 V ~ 15.4 V
 
工作温度 -25°C ~ 125°C
 
封装/外壳 8-DIP(0.300", 7.62mm)
 
供应商设备封装 8-DIP
 
包装 管件
 
其它名称 *IR2520DPBF

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
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供应 IC 芯片IRF644原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 250V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 240 毫欧 @ 8.4A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 54nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1060pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF644NPBF"

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供应 场效应管IRFB4710原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFB4710PBF

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