供应 IC 芯片IRF644原装进口
| 价 格： | 2.30 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF644 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 14A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 240 毫欧 @ 8.4A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1060pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRF644NPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
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供应 场效应管IRFB4710原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V 功率 - 3.8W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFB4710PBF
供应 IC 芯片FQPF6N90C原装进口
信息内容：、类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 900V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 欧姆 @ 3A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1770pF @ 25V 功率 - 56W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F
