供应 场效应管IRFB4710原装进口
| 价 格： | 5.30 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB4710 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V
功率 - 3.8W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFB4710PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
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供应 IC 芯片FQPF6N90C原装进口
信息内容：、类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 900V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 欧姆 @ 3A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1770pF @ 25V 功率 - 56W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F
供应 IC 芯片IRL3103PBF原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N TO-220 30V 56A晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:56A电压, Vds :30V在电阻RDS（上）:12mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:1V功耗, Pd:83W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:83W功耗:83W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:64A热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds ?1?7?1?7型值:30V电压, Vgs :1V电流, Idm 脉冲:220A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :1V阈值电压, Vgs th :2.5V
