价 格: | 4.30 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRL3103PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A晶体管极性:P通道电流, Id 连续:12A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):172mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:45W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-12A热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:-55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:48A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 84A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 50A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF1010EPBF