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供应 IC 芯片IRL3103PBF原装进口

价 格: 4.30
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRL3103PBF
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MW/微波
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷

  • 场效应管 MOSFET N TO-220 30V 56A
  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:56A
  • 电压, Vds :30V
  • 在电阻RDS(上):12mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗, Pd:83W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:83W
  • 功耗:83W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:64A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds ?1?7?1?7型值:30V
  • 电压, Vgs :1V
  • 电流, Idm 脉冲:220A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th :1V
  • 阈值电压, Vgs th :2.5V

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
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信息内容:

场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A晶体管极性:P通道电流, Id 连续:12A电压, Vds :55V在电阻RDS(上):172mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:45W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-12A热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:55V电压, Vds 典型值:-55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:48A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a

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供应 IC 芯片IRF1010E原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 84A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 50A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF1010EPBF

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