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供应 场效应管IRF9Z24N原装进口

价 格: 1.30
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF9Z24N
种类:结型(JFET)
沟道类型:P沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A

  • 晶体管极性:P通道
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电压, Vds :55V
  • 在电阻RDS(上):172mohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
  • 功耗, Pd:45W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:45W
  • 功耗:45W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:2.54mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:-12A
  • 热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds:55V
  • 电压, Vds 典型值:-55V
  • 电压, Vgs :-4V
  • 电流, Idm 脉冲:48A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚格式:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • 针脚配置:a

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
  • 传真:
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  • QQ :
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供应 IC 芯片IRF1010E原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 84A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 50A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF1010EPBF

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供应 IC 芯片IRFU120NPBF原装进口

信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 5.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 330pF @ 25V 功率 - 48W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFU120NPBF"

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