价 格: | 1.30 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF9Z24N | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
场效应管 MOSFET P TO-220 -55V -12A
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 84A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 50A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 130nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3210pF @ 25V 功率 - 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF1010EPBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.4A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 5.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 330pF @ 25V 功率 - 48W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFU120NPBF"