供应低噪声高频功率放大三极管2SC4901
| 价 格： | 150.00 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 2SC4901 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 结构： | 平面型 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 营销方式： | 现货 | |
| 产品性质： | 热销 |
批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC4901 。2SC4901主要用于VHF、UHF高频低噪声放大器. 长期供应，货源稳定。
**主要特性:
高增益: ︱S21︱2 典型值为 13dB f =0.9GHz、Vce=5V、Ic=20mA
低躁声: NF典型值为 1.3dB f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA
增益带宽乘积: fT典型值为 9GHz f =1GHz、Vce=5V、Ic=20mA
**极限工作条件范围 (T=25℃)：
基集电极极击穿电压 VCBO 15V 集电极发射极击穿电压VCEO9V 发射极基极击穿电压 VEBO 3V 集电极电流IC 50 mA 功耗PC 0.1W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃
**HFE规格
标号G HFE 50-100
标号 R HFE 80-150
标号 S HFE 125-300
**封装形式 SOT-323
**包装基数 3000/盘
"- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘小媛
- 电话：0755-29463395
- 传真：0755-29463395
- 手机：
- QQ ：
供应MOS管2300，2301，2302
信息内容：产地:台湾型号:006F、006H、006G、006I、007A。2300。2301。2302一、代理商批量供应MOSFET管“006F”、“006G”、“006H”、“006I”、“007A”，SOT23-3封装。适合在各类便携式设备如手机充电器上使用。二、代理商批量供应可调式DC-DC控制升压型电路“8A65”"8A66""8A67""8A6C"，SOT23-5封装。起动电压最小在0.9V。可通过外部电阻来调节输出电压为5.5V、5.6V、5.7V、5.8V或者6.0V，电流可通过外接MOS管来扩流。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点，适合在各类便携式设备如手机电池充电器上使用。三.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路BDV71系列，SOT-23-5封装。固定输出电压5.6V。适合在手机电池充电器上使用。四.代理商批量供应DC-DC控制升压型电路ZH882系列，SOT-23-5封装。固定输出电压5.8V。本产品结合了微型封装和低静态电流等的特点，适合在手机电池充电器上使用
供应低噪声高频功率放大三极管2SC3583
信息内容：批量供应低噪声高频功率放大晶体管2SC3583 。2SC3583主要用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。长期供应，货源稳定。 **主要特性高增益: ︱S21︱2 典型值为 12dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA低躁声: NF典型值为 1.2dB f =1GHz、Vce=8V、Ic=7mA增益带宽乘积: fT典型值为 9GHz f =1GHz、Vce=8V、Ic=20mA**极限工作条件范围 (T=25℃)： 基集电极极击穿电压 VCBO20 V 集电极发射极击穿电压VCEO10V 发射极基极击穿电压 VEBO3V 集电极电流IC 65 mA 功耗PC 0.2W 结温度Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ 150 ℃**HFE规格标号G R33 HFE 50-100标号 R R34 HFE 80-150标号 S R35 HFE 125-250**封装形式 SOT-23**包装基数 3000/盘
