价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3075 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | 2SK3075 | |
极性 | N沟 | |
用途 | 人员用收音机(520MHz) | |
漏源电压VDSS@Tc=25°C | 30 V | |
泄漏电流ID@Tc=25°C | 5 A | |
功耗PD@Tc=25°C, max | 20 W | |
输出功率PO(最小) | 7.5W | VDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.5 W, Tc=25°C |
封装 | PW-X | |
管脚数 | 3 | |
产品分类 | RF功率MOSFET |
属性值条件部件型号TK5A50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID5 A 漏功耗PD35 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)11 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础China, Malaysia, Japan RoHS Compatible Product(s) (#)Available
部件型号2SK3564 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID3 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)17 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V4.3 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)