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东芝代理 原装现货 2SK3075

价 格: 0.10
品牌/商标:TOSHIBA/东芝
型号/规格:2SK3075
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

部件型号2SK3075 
极性N沟 
用途人员用收音机(520MHz) 
漏源电压VDSS@Tc=25°C30 V 
泄漏电流ID@Tc=25°C5 A 
功耗PD@Tc=25°C, max20 W 
输出功率PO(最小)7.5WVDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.5 W, Tc=25°C
封装PW-X 
管脚数3 
产品分类RF功率MOSFET

上海琼创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海
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  • 联系人: 顾丽晴
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信息内容:

属性值条件部件型号TK5A50D 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID5 A 漏功耗PD35 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)11 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.5 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础China, Malaysia, Japan RoHS Compatible Product(s) (#)Available

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信息内容:

部件型号2SK3564 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID3 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)17 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V4.3 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)

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