场效应管 SPP11N60C3 SPP11N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | SPP11N60C3,MOS,600V,11A,0.38Ω,220 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 极间电容： | 1200 | |
| 漏极电流： | 11A |
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SPP11N60C3,MOS,600V,11A,0.38Ω,220
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
KHB4D5N60P TO-220 KEC DIP/MOS N 600V 4.5A 2.5Ω
KHB7D5N60P1 TO-220 KEC DIP/MOS N 600V 7.5A 1.2Ω
PFB2N60，TO-220，达晶，DIP/MOS，N场，600V，2.1A，4.
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IGBT HGTP12N60C3 P12N60C3
信息内容：dzsc/19/0044/19004428.jpgHGTP12N60C3,TO-220,IGBT,600V,12A,不带二极"
供应场效应管 NTD80N02T4G NTD80N02G
信息内容：产品型号:NTD80N02T4G封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):75极间电容Ciss(PF):2250 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：20单脉冲雪崩能量EAS(mJ):733温度(℃): -55 ~150描述:24V,80A Silicon N-Channel Power F-MOS FET专为低电压，高速开关应用在电源适配器，转换器和功率电机控制和电桥电路。特点.Pb-Free包典型应用.电源供应器.转换器.功率电机控制.桥电路如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
