供应场效应管 NTD80N02T4G NTD80N02G
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 80A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | NTD80N02T4G NTD80N02G,MOS,24V,80A,0.0058Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 2600 |
产品型号:NTD80N02T4G
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):75
极间电容Ciss(PF):2250 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):733
温度(℃): -55 ~150
描述:24V,80A Silicon N-Channel Power F-MOS FET
专为低电压，高速开关应用在电源适配器，转换器和功率电机控制和电桥电路。
特点
.Pb-Free包
典型应用
.电源供应器
.转换器
.功率电机控制
.桥电路
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BSC011N03,BSC011N03LS G,011N03LS
信息内容：BSC011N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0011Ωdzsc/19/0048/19004889.jpg
场效应管 IRF610N,IRL610A,F610,L610
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.200V MOSFET场效应管系列:IRFD210 IR DIP-4 N场 200V 0.6ASI9420DY-T1 VISHAY SOP-8 N场 200V 1AIRLM220A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 1.13AIRFM210A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 0.77AIRFR210 IR SOT-252 N场 200V 2.6AIRFR15N20DTR IR SOT-252 N场 200V 15AFQD10N20TF FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 10AIRFR220 IR SOT-252 N场 200V 5AFQD5N20LTM FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 5AFDD2670 FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 3.6AIRF640S IR SOT-263 N场 200V 18AIRF630S IR SOT-263 N场 200V 9AIRL640NS IR SOT-263 N场 200V 18AFQB34N20 FAIRCHILD SOT-263 N场 200V 34AIRF640散 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 18AIRF630RL02 ROHM TO-220 N场 200V 9AFQP19N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 19AIRF650A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 28AIRF620N IR TO-220 N场 200V 5.2AFQP10N20 FAIRCHILD TO-220 N场 20...
