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IGBT HGTP12N60C3 P12N60C3

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:HGTP12N60C3,TO-220,IGBT,600V,12A,不带二极
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:IGBT绝缘栅比极
夹断电压:30
开启电压:6
漏极电流:12A

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HGTP12N60C3,TO-220,IGBT,600V,12A,不带二极

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深圳市金城微零件有限公司
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供应场效应管 NTD80N02T4G NTD80N02G

信息内容:

产品型号:NTD80N02T4G封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):80源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0058 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):75极间电容Ciss(PF):2250 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):20单脉冲雪崩能量EAS(mJ):733温度(℃): -55 ~150描述:24V,80A Silicon N-Channel Power F-MOS FET专为低电压,高速开关应用在电源适配器,转换器和功率电机控制和电桥电路。特点.Pb-Free包典型应用.电源供应器.转换器.功率电机控制.桥电路如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"

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BSC011N03,BSC011N03LS G,011N03LS

信息内容:

BSC011N03LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0011Ωdzsc/19/0048/19004889.jpg

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