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N沟MOSF管FDN357NBSS138

价 格: 2.00
品牌/商标:其他
型号/规格:FDN357NBSS138
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:30(V)
夹断电压:10(V)
跨导:0(μS)
极间电容:0(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:0(mA)
耗散功率:0(mW)

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
FDN357N
SOT-23-3
High Voltage Switches for Power Processing
Mold Compound Change 07/Dec/2007
Mold Compound Change 08/April/2008
SuperSOT-3, SOT-23
3,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
60 毫欧 @ 2.2A, 10V
30V
1.9A
2V @ 250µA
5.9nC @ 5V
235pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
带卷 (TR)
3-SSOT
1554 (CN2010-11 Interactive)
1554 (CN2010-11 PDF)
FDN357NTR

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孔维年
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公司相关产品

N沟MOSF管IRF540NS

信息内容:

数据列表IRF540N(S,L)PbF产品相片D2PAK Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1960pF @ 25V功率 - 130W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak,TO-263(2 引线 接片)包装管件其它名称*IRF540NSPBF

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N沟MOSF管IRF7303

信息内容:

数据列表IRF7303PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列HEXFET®FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9AId 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)520pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"

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