价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | 其他 | |
型号/规格: | FDN357NBSS138 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET
FDN357N |
SOT-23-3 |
High Voltage Switches for Power Processing |
Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
SuperSOT-3, SOT-23 |
3,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
60 毫欧 @ 2.2A, 10V |
30V |
1.9A |
2V @ 250µA |
5.9nC @ 5V |
235pF @ 10V |
460mW |
表面贴装 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
带卷 (TR) |
3-SSOT |
1554 (CN2010-11 Interactive) 1554 (CN2010-11 PDF) |
FDN357NTR |
数据列表IRF540N(S,L)PbF产品相片D2PAK Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1960pF @ 25V功率 - 130W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak,TO-263(2 引线 接片)包装管件其它名称*IRF540NSPBF
数据列表IRF7303PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列HEXFET®FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9AId 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)520pF @ 25V功率 - 2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO包装带卷 (TR)"