供应原装英飞凌IGBT单管IKW08T120
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | IKW08T120 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
型号：IKW08T120
8A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒
Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 16A/8A；
VCE（sat）= 1.70V；
特点：
☆工作结温可达Tjmax≤150℃
☆正温被系数饱和压降易于并联
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆采用沟槽栅 电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆硬开关频率Fk≤20KHZ
☆TO-247封装易于安装
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供应原装德国英飞凌IGBT单管
信息内容：Infineon（英飞凌）是原西门子半导体集团股票独立上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT，具有高可靠、低成本的性能价格比。IGBT 芯片产量，当今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不仅生产IGBT芯片，还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二极管等；IGBT模块、可控硅等归属于其100％子公司――EUPEC生产。 一、 2Infineon高频600V IGBT2优质单管（硬开关频率fK≤150KHZ）D PAK封装 型号SKB06N60HSSKB10N60HSSKB15N60HS 参数 Tc=100℃6A/600V10A/600V15A/600V TO-247封装 型号SKW20N60HSSKW30N60HS 参数 Tc=100℃20A/600V30A/600V ☆开关频率可高达150KHz（硬开关） ☆可替代许多MOSFET应用领域 ☆内置Emcon快恢复二极管二、 Infineon快速型1200V IGBT2优质单管（硬开关频率≤50KHZ）TO-247封装 型号SKW07N120SKW15N120SKW25N120 参数 Tc=100℃7.9A/1200V15A/1200V25A/1200V ☆开关频率可达50KHz（硬开关） ☆内置Emcon快恢复二极管 英飞凌（Infineon）“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术，NPT-IGBT优质单管具有：◆正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性。...
瑞萨IGBT单管RJH60D1DPP-MO
信息内容：日本瑞萨RJH60D1DPP-M0, TO-220封装，10A600V.具体参数如下：dzsc/19/0665/19066527.jpg日本瑞萨全新原装，品质保证，价格优势，欢迎来电洽谈！电话：010-64711980传真：010-64799167移动电话：13911852303/13681369406QQ: 99381140MSN：bjfxshf@live.cnE-mail:bjfxshf@163.com
