| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | RENESAS/瑞萨 | |
| 型号/规格: | RJH60D1DPP-MO | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | D/变频换流 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 |
日本瑞萨RJH60D1DPP-M0, TO-220封装,10A600V.
具体参数如下:
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型号:IKW25T120 25A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 50A/25A;VCE(sat)= 1.70V; 特点: ☆工作结温可达Tjmax≤150℃☆正温被系数饱和压降易于并联☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术☆硬开关频率Fk≤20KHZ☆TO-247封装易于安装 dzsc/19/1283/19128355.jpgdzsc/19/1283/19128355.jpg 英飞凌全新原装,品质保证,价格优势,欢迎来电洽谈!电话:010-64711980传真:010-64799167移动电话:13911852303/13681369406QQ: 478881901MSN:bjfxshf@live.cnE-mail:bjfxshf@163.com"