| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格: | IKW20N60T | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | FM/调频 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 |
Infineon(英飞凌)是原西门子半导体集团股票独立上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的性能价格比。IGBT 芯片产量,当今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不仅生产IGBT芯片,还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二极管等;IGBT模块、可控硅等归属于其100%子公司――EUPEC生产。
一、
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Infineon高频600V IGBT2优质单管(硬开关频率fK≤150KHZ)
D PAK封装 型号 | SKB06N60HS | SKB10N60HS | SKB15N60HS |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V |
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TO-247封装 型号 | SKW20N60HS | SKW30N60HS |
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参数 Tc=100℃ | 20A/600V | 30A/600V |
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☆开关频率可高达150KHz(硬开关) ☆可替代许多MOSFET应用领域 ☆内置Emcon快恢复二极管
二、 Infineon快速型1200V IGBT2优质单管(硬开关频率≤50KHZ)
TO-247封装 型号 | SKW07N120 | SKW15N120 | SKW25N120 |
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参数 Tc=100℃ | 7.9A/1200V | 15A/1200V | 25A/1200V |
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☆开关频率可达50KHz(硬开关) ☆内置Emcon快恢复二极管
英飞凌(Infineon)“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术,NPT-IGBT优质单管具有:
◆正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET特性。◆参数离散性小,便于批量生产。◆开关速度快,高频特性好。
◆拖尾电流小,且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应,过载能力强,可靠性高。
三、
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Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤50KHZ)
D PAK封装 型号 | IKB04N60T | IKB06N60T | IKB10N60T | IKB15N60T | IKB20N60T |
参数 Tc=100℃ | 4A/600V | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V | 20A/600V |
TO-220Full 型号 | IKA06N60T | IKA10N60T | IKA15N60T |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V |
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TO-220封装 型号 | IKP06N60T | IKP10N60T | IKP15N60T | IKP20N60T |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V | 20A/600V |
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TO-247封装 型号 | IKW20N60T | IKW30N60T | IKW50N60T | IKW75N60T |
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参数 Tc=100℃ | 20A/600V | 30A/600V | 50A/600V | 75A/600V |
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☆TC=25℃ VCE(sat)=1.50V ☆工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术 ☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有的性能价格比
四、 Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤20KHZ)
TO-247封装 型号 | IKW08T120/T2 | IKW15T120/T2 | IKW25T120/T2 | IKW40T120/T2 |
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参数 Tc=100℃ | 8A/1200V | 15A/1200V | 25A/1200V | 40A/1200V |
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☆TC=25℃ VCE(sat)=1.70V ☆正温被系数饱和压降易于并联 ☆TO-247封装易于安装
TM |
☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术 ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
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型号:IKW25T120 25A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 50A/25A;VCE(sat)= 1.70V; 特点: ☆工作结温可达Tjmax≤150℃☆正温被系数饱和压降易于并联☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术☆硬开关频率Fk≤20KHZ☆TO-247封装易于安装 dzsc/19/1283/19128355.jpgdzsc/19/1283/19128355.jpg 英飞凌全新原装,品质保证,价格优势,欢迎来电洽谈!电话:010-64711980传真:010-64799167移动电话:13911852303/13681369406QQ: 478881901MSN:bjfxshf@live.cnE-mail:bjfxshf@163.com"