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供应原装德国英飞凌IGBT单管

价 格: 面议
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
型号/规格:IKW20N60T
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:FM/调频
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道

Infineon(英飞凌)是原西门子半导体集团股票独立上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的性能价格比。IGBT 芯片产量,当今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不仅生产IGBT芯片,还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二极管等;IGBT模块、可控硅等归属于其100%子公司――EUPEC生产。

 

一、      

2

Infineon高频600V IGBT2优质单管硬开关频率fK≤150KHZ

D  PAK封装  型号

SKB06N60HS

SKB10N60HS

SKB15N60HS

 

 

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

 

 

TO-247封装 型号

SKW20N60HS

SKW30N60HS

 

 

 

参数 Tc=100℃

20A/600V

30A/600V

 

 

 

☆开关频率可高达150KHz(硬开关)     ☆可替代许多MOSFET应用领域     ☆内置Emcon快恢复二极管

二、      Infineon快速型1200V IGBT2优质单管硬开关频率≤50KHZ

TO-247封装 型号

SKW07N120

SKW15N120

SKW25N120

 

 

参数 Tc=100℃

7.9A/1200V

15A/1200V

25A/1200V

 

 

☆开关频率可达50KHz(硬开关)   ☆内置Emcon快恢复二极管  

英飞凌(Infineon)“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术,NPT-IGBT优质单管具有:

◆正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET特性。◆参数离散性小,便于批量生产。◆开关速度快,高频特性好。  

◆拖尾电流小,且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应,过载能力强,可靠性高。

三、      

2

Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管硬开关频率fK≤50KHZ

D  PAK封装  型号

IKB04N60T

IKB06N60T

IKB10N60T

IKB15N60T

IKB20N60T

参数 Tc=100℃

4A/600V

6A/600V

10A/600V

15A/600V

20A/600V

TO-220Full 型号

IKA06N60T

IKA10N60T

IKA15N60T

 

 

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

 

 

TO-220封装 型号

IKP06N60T

IKP10N60T

IKP15N60T

IKP20N60T

 

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

20A/600V

 

TO-247封装 型号

IKW20N60T

IKW30N60T

IKW50N60T

IKW75N60T

 

参数 Tc=100℃

20A/600V

30A/600V

50A/600V

75A/600V

 

☆TC=25℃  VCE(sat)=1.50V     ☆工作结温可达Tjmax≤175℃     ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管

☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术  ☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有的性能价格比  

四、      Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管硬开关频率fK≤20KHZ

TO-247封装 型号

IKW08T120/T2

IKW15T120/T2

IKW25T120/T2

IKW40T120/T2

 

参数 Tc=100℃

8A/1200V

15A/1200V

25A/1200V

40A/1200V

 

☆TC=25℃  VCE(sat)=1.70V     ☆正温被系数饱和压降易于并联     ☆TO-247封装易于安装

TM 

☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术     ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管

 

 

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供应原装英飞凌IGBT单管IKW25T120

信息内容:

型号:IKW25T120 25A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 50A/25A;VCE(sat)= 1.70V; 特点: ☆工作结温可达Tjmax≤150℃☆正温被系数饱和压降易于并联☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管☆采用沟槽栅 电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术☆硬开关频率Fk≤20KHZ☆TO-247封装易于安装 dzsc/19/1283/19128355.jpgdzsc/19/1283/19128355.jpg 英飞凌全新原装,品质保证,价格优势,欢迎来电洽谈!电话:010-64711980传真:010-64799167移动电话:13911852303/13681369406QQ: 478881901MSN:bjfxshf@live.cnE-mail:bjfxshf@163.com"

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