价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF21N65M5 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
极间电容: | 1950(pF) | |
漏极电流: | 17000(mA) | |
耗散功率: | 30000(mW) |
• VDS=710V
• ID=17A
• 导通电阻:R<0.179Ω
• 总耗散功率:30W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=800V • ID=0.25A• 导通电阻:R<16Ω• 总耗散功率:2.5W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)Switching Regulator Applications 封装形式:TO-220F存储温度范围:-55 ~ 150°C导通电阻RDS (ON):0.75ΩSVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)电压, Vds :600V表面安装器件:通孔安装"